Samsung Electronics cho biết sẽ triển khai quy trình sản xuất FinFET 14nm với các chip tầm trung ngay trong quý đầu tiên này và Exynos 7870 sẽ là mẫu SoC (system on chip) đầu tiên mà hãng ứng dụng. Động thái trên là một phần trong chiến lược thúc đẩy sự phát triển mạnh mẽ của SoC và tăng cường khả năng cạnh tranh.
Gabsoo Han, Phó chủ tịch mảng Kinh doanh và Tiếp thị của Samsung Electronics kỳ vọng việc phổ biến các chip công nghệ FinFET 14nm sẽ tác động tích cực đến sự phát triển của ngành công nghiệp di động. Hiệu năng smartphone được cải thiện đáng kể đồng thời có mức tiêu thụ năng lượng hiệu quả hơn.
Cụ thể khi so sánh với công nghệ 20nm trước đó, Samsung cho biết công nghệ mới cho phép tăng tốc độ nhanh hơn đến 20%, mức tiêu thụ năng lượng thấp hơn 35% và hiệu suất cải thiện khoảng 30%, đại diện Samsung chia sẻ thêm.
Đây cũng là lần đầu tiên hãng áp dụng công nghệ tiên tiến nhất trong ngành công nghiệp bán dẫn cho các chip xử lý di động tầm trung; vốn trước đó chỉ áp dụng trong phân khúc chip cao cấp như Exynos 7 Octa và Exynos 7420 trang bị cho Galaxy S6 và Galaxy Note.
Vào tháng 11 năm ngoái, Samsung chính thức giới thiệu mẫu SoC cao cấp nhất là Exynos 8 Octa (hay Exynos 8890). Chip này được sản xuất theo quy trình 14nm FinFET và cũng là chip 64-bit đầu tiên được trang bi các nhân xử lý do chính Samsung thiết kế.
Exynos 8 Octa hiện được sản xuất hàng loạt và có khả năng đưa vào sử dụng trong mẫu Galaxy S7, sẽ được công bố tại Mobile World Congress (MWC) tại Barcelona vào tuần tới.
Về Exynos 7870, mẫu chip tầm trung này được trang bị modem LTE Cat.6 hỗ trợ cả phổ tần Frequency Division Duplexing (FDD) lẫn Time Division Duplexing (TDD) và tích hợp cả hệ thống định vị toàn cầu Global Navigation Satellite System (GNS). SoC mới cũng hỗ trợ hiển thị hình ảnh độ phân giải 1.920 x 1.200 pixel, khả năng giải mã video chuẩn 1080p và hai camera 16 megapixel.
Bên cạnh đó, Samsung cũng đang chạy đua cùng TSMC trong việc chuyển sang quy trình sản xuất chip 10nm và dự kiến những sản phẩm đầu tiên sẽ có mặt vào năm 2017.
Gabsoo Han, Phó chủ tịch mảng Kinh doanh và Tiếp thị của Samsung Electronics kỳ vọng việc phổ biến các chip công nghệ FinFET 14nm sẽ tác động tích cực đến sự phát triển của ngành công nghiệp di động. Hiệu năng smartphone được cải thiện đáng kể đồng thời có mức tiêu thụ năng lượng hiệu quả hơn.
Cụ thể khi so sánh với công nghệ 20nm trước đó, Samsung cho biết công nghệ mới cho phép tăng tốc độ nhanh hơn đến 20%, mức tiêu thụ năng lượng thấp hơn 35% và hiệu suất cải thiện khoảng 30%, đại diện Samsung chia sẻ thêm.
Đây cũng là lần đầu tiên hãng áp dụng công nghệ tiên tiến nhất trong ngành công nghiệp bán dẫn cho các chip xử lý di động tầm trung; vốn trước đó chỉ áp dụng trong phân khúc chip cao cấp như Exynos 7 Octa và Exynos 7420 trang bị cho Galaxy S6 và Galaxy Note.
Vào tháng 11 năm ngoái, Samsung chính thức giới thiệu mẫu SoC cao cấp nhất là Exynos 8 Octa (hay Exynos 8890). Chip này được sản xuất theo quy trình 14nm FinFET và cũng là chip 64-bit đầu tiên được trang bi các nhân xử lý do chính Samsung thiết kế.
Exynos 8 Octa hiện được sản xuất hàng loạt và có khả năng đưa vào sử dụng trong mẫu Galaxy S7, sẽ được công bố tại Mobile World Congress (MWC) tại Barcelona vào tuần tới.
Về Exynos 7870, mẫu chip tầm trung này được trang bị modem LTE Cat.6 hỗ trợ cả phổ tần Frequency Division Duplexing (FDD) lẫn Time Division Duplexing (TDD) và tích hợp cả hệ thống định vị toàn cầu Global Navigation Satellite System (GNS). SoC mới cũng hỗ trợ hiển thị hình ảnh độ phân giải 1.920 x 1.200 pixel, khả năng giải mã video chuẩn 1080p và hai camera 16 megapixel.
Bên cạnh đó, Samsung cũng đang chạy đua cùng TSMC trong việc chuyển sang quy trình sản xuất chip 10nm và dự kiến những sản phẩm đầu tiên sẽ có mặt vào năm 2017.
Nguồn tham khảo: ZDnet.com, Samsung.com