Micron đã bắt đầu sản xuất số lượng lớn các đế chip LPDDR4X đầu tiên dùng tiến trình 10 nm thế hệ 2 (1Y nm) của hãng. Đây cũng là các đế DRAM tốc độ cao với tỉ lệ truyền tải đến 4266 Mbps trên mỗi pin (đây chính là bộ nhớ LPDDR4X xung thực 2133 MHz và hiện chỉ mới có Kirin 980 hỗ trợ), dung lượng mỗi đế 12 Gb và tiêu thụ ít điện năng hơn so với LPDDR4.
Theo Micron thì LPDDR4X mới sẽ tiết kiệm 10% điện năng so với LPDDR4 cùng tốc bởi điện áp VDDQ I/O thấp hơn, từ 1,1 V xuống còn 0,6 V. Mặc dù dung lượng mỗi đế là 12 Gb (1,5 GB) thấp hơn so với 16 Gb (2 GB) của LPDDR4 nhưng Micron nói chi phí sản xuất thấp hơn và kết quả là hãng có thể cung cấp các chip DRAM với 4 đế 12 Gb cho tổng dung lượng 48 Gb (6 GB) và băng thông 34,1 GB/s với giá thành cạnh tranh hơn so với các đối thủ.
Đây cũng là các chip DRAM LPDDR4X đầu tiên được Micron sản xuất trên tiến trình 10 nm thế hệ 2 và trong thời gian tới hãng sẽ phát hành nhiều dòng DRAM khác với cùng công nghệ, điện năng thấp, xung cao hơn so với các sản phẩm hiện có. Dù vậy, có thể nói việc sản xuất hàng loạt dòng bộ nhớ LPDDR4X này của Micron khá chậm bởi 2 đối thủ lớn là Samsung và SK Hynix đều đã sản xuất từ sớm và sản phẩm của cả 2 đều đã có mặt trên thị trường di động.
Theo Micron thì LPDDR4X mới sẽ tiết kiệm 10% điện năng so với LPDDR4 cùng tốc bởi điện áp VDDQ I/O thấp hơn, từ 1,1 V xuống còn 0,6 V. Mặc dù dung lượng mỗi đế là 12 Gb (1,5 GB) thấp hơn so với 16 Gb (2 GB) của LPDDR4 nhưng Micron nói chi phí sản xuất thấp hơn và kết quả là hãng có thể cung cấp các chip DRAM với 4 đế 12 Gb cho tổng dung lượng 48 Gb (6 GB) và băng thông 34,1 GB/s với giá thành cạnh tranh hơn so với các đối thủ.
Đây cũng là các chip DRAM LPDDR4X đầu tiên được Micron sản xuất trên tiến trình 10 nm thế hệ 2 và trong thời gian tới hãng sẽ phát hành nhiều dòng DRAM khác với cùng công nghệ, điện năng thấp, xung cao hơn so với các sản phẩm hiện có. Dù vậy, có thể nói việc sản xuất hàng loạt dòng bộ nhớ LPDDR4X này của Micron khá chậm bởi 2 đối thủ lớn là Samsung và SK Hynix đều đã sản xuất từ sớm và sản phẩm của cả 2 đều đã có mặt trên thị trường di động.
Từ hồi tháng 7 thì Samsung đã công bố khởi động dây chuyền sản xuất chip DRAM LPDDR4X dùng tiến trình 10 nm thế hệ 2 với các đế 16 Gb (2 GB) tốc độ truyền tải 4266 Mbps/pin tương tự và cũng tiết kiệm được 10% điện năng so với LPDDR4. Samsung cũng cung cấp các giải pháp DRAM với các đế xếp lớp gồm các mức dung lượng như 8 GB, 6 GB và 4 GB, Với sự tham gia của Micron và những gì hãng này hứa hẹn thì có thể chờ đợi giá bộ nhớ LPDDR4X trên điện thoại hay các thiết bị di động sẽ cạnh tranh hơn, mở đường cho những chiếc máy có dung lượng bộ nhớ DRAM lớn với mức giá thấp hơn.Theo: Micron