Có vẻ như Ryzen 7000 bản thử nghiệm của AMD đã “xui xẻo” rơi vào tay 1 OCer “phá phách”, nhanh chóng bị delid - cạy nắp lưng. Những hình ảnh đầu tiên cho chúng ta cái nhìn về cách sắp xếp CCD (Core Chiplet Die) và IOD (Input/Output Die) trên Zen 4, không được hoàn hảo như thế hệ trước.
Anh em có thể thấy IHS trên Zen 4 có độ dày bất thường, dày hơn nhiều so với trước đây, khả năng là do AMD muốn đạt được độ cao cần thiết để vi xử lý mới có thể tương thích ngược với các tản nhiệt hiện tại. Điều này có thể tốt (tương thích) cũng có thể không tốt, lý do là IHS quá dày cũng hạn chế thời gian dẫn nhiệt từ nhân lên bề mặt để chuyển qua đế tản nhiệt.
AMD không dùng TIM giữa die và IHS mà hàn chúng vào nhau. Ngoài ra, IHS cũng được cố định với đế chip bằng vài điểm khác bằng keo dán. Có quá nhiều tụ điện nhỏ xung quanh CPU khiến cho việc delid trở nên khó khăn hơn, vì chỉ cần 1 chút sai sót, con chip sẽ trở thành móc khóa ngay lập tức. Bù lại thiết kế IHS hở thay vì kín như trước nên có khả năng lực delid sẽ nhẹ nhàng hơn. Mặt dưới của IHS có vẻ được mạ vàng hoặc là 1 lớp hợp kim có chứa lượng đồng nhiều, có lẽ để tăng cường khả năng dẫn nhiệt.
Ryzen 5000 Series (bên trái) và Ryzen 7000 (bên phải)
Ryzen 7000 có thiết kế 2 chiplet 5 nm, với mỗi chiplet chứa đến 8 nhân Zen 4, trong khi đó nhân I/O được sản xuất trên tiến trình công nghệ 6 nm, với đồ họa tích hợp RDNA2. So sánh với thế hệ trước mà cụ thể hơn là Ryzen 5000 Series, mẫu Ryzen 7000 có vị trí CCD đặt lệch về 1 cạnh, thay vì chung khu vực chính giữa như trước. Do nhiệt lượng tạo ra trong quá trình hoạt động chủ yếu là từ CCD nên dự đoán rằng Ryzen 7000 sẽ có hiệu năng làm mát bị giảm, do đa số các tản nhiệt nước AIO chỉ truyền nhiệt tốt nhất ở khu vực chính giữa, trong khi tản nhiệt khí sẽ phân bố các heatpipe đều hơn trên toàn bộ bề mặt tiếp xúc.
Theo nội dung bình luận ở TechPowerUp thì con chip sau khi được delid vẫn có thể hoạt động bình thường.
TechPowerUp
Anh em có thể thấy IHS trên Zen 4 có độ dày bất thường, dày hơn nhiều so với trước đây, khả năng là do AMD muốn đạt được độ cao cần thiết để vi xử lý mới có thể tương thích ngược với các tản nhiệt hiện tại. Điều này có thể tốt (tương thích) cũng có thể không tốt, lý do là IHS quá dày cũng hạn chế thời gian dẫn nhiệt từ nhân lên bề mặt để chuyển qua đế tản nhiệt.
AMD không dùng TIM giữa die và IHS mà hàn chúng vào nhau. Ngoài ra, IHS cũng được cố định với đế chip bằng vài điểm khác bằng keo dán. Có quá nhiều tụ điện nhỏ xung quanh CPU khiến cho việc delid trở nên khó khăn hơn, vì chỉ cần 1 chút sai sót, con chip sẽ trở thành móc khóa ngay lập tức. Bù lại thiết kế IHS hở thay vì kín như trước nên có khả năng lực delid sẽ nhẹ nhàng hơn. Mặt dưới của IHS có vẻ được mạ vàng hoặc là 1 lớp hợp kim có chứa lượng đồng nhiều, có lẽ để tăng cường khả năng dẫn nhiệt.
Ryzen 5000 Series (bên trái) và Ryzen 7000 (bên phải)
Ryzen 7000 có thiết kế 2 chiplet 5 nm, với mỗi chiplet chứa đến 8 nhân Zen 4, trong khi đó nhân I/O được sản xuất trên tiến trình công nghệ 6 nm, với đồ họa tích hợp RDNA2. So sánh với thế hệ trước mà cụ thể hơn là Ryzen 5000 Series, mẫu Ryzen 7000 có vị trí CCD đặt lệch về 1 cạnh, thay vì chung khu vực chính giữa như trước. Do nhiệt lượng tạo ra trong quá trình hoạt động chủ yếu là từ CCD nên dự đoán rằng Ryzen 7000 sẽ có hiệu năng làm mát bị giảm, do đa số các tản nhiệt nước AIO chỉ truyền nhiệt tốt nhất ở khu vực chính giữa, trong khi tản nhiệt khí sẽ phân bố các heatpipe đều hơn trên toàn bộ bề mặt tiếp xúc.
Theo nội dung bình luận ở TechPowerUp thì con chip sau khi được delid vẫn có thể hoạt động bình thường.
TechPowerUp
