![[IMG]](http://photo.tinhte.vn/attach/public_image/btv/39792/397924c1c8467e3200_Toggle_DDR_Compare.gif)
So sánh giữa NAND DDR Toggle mode và NAND SDR Legacy thông thường. Màu đỏ là Data Query Strobe, cho phép dữ liệu vào (Din) và ra (Dout) ghi theo hai nhánh cùng một lúc.
Ngày 17/6, Samsung đã giới thiệu một ổ SSD dùng loại chip NAND mới mang tên toggle-mode DDR NAND (tạm dịch: NAND hai chiều). Ổ SSD mới có dung lượng 512GB và nhắm đến các máy tính xách tay cao cấp.
Toogle-mode DDR NAND là một giải pháp lưu trữ mới sử dụng giao diện hai luồng vào/ra theo nguyên lí truy vấn dữ liệu (Data Query Strobe - DQR) để tăng tốc độ đọc và ghi cho chip nhớ. NAND toogle-mode có tính tương thích ngược với những chip Legacy SDR NAND nên sẽ thuận tiện hơn cho các nhà sản xuất trong việc chuyển đổi. Công nghệ Toogle mode DDR cũng cho phép chip NAND tiêu thụ ít điện năng hơn, chỉ từ 1,8v đến 3,3V.
Ổ SSD mới của Samsung gồm nhiều con chip nhỏ, mỗi chip có dung lượng 32Gbit (tương đương 4GB), được sản xuất bằng công nghệ 32nm. Cấu trúc hai luồng dữ liệu của chip NAND kết hợp với giao tiếp SATA 3Gbps cho tốc độ đọc trung bình là 250MB/giây, trong khi tốc độ ghi là 220MB/giây.
Samsung cũng dùng một bộ điều khiển mới được thiết kế riêng cho chip NAND toogle-mode. Theo Samsung, công nghệ mới sẽ tiết kiệm khoảng 1 giờ dùng pin cho những máy tính xách tay dùng ổ SSD này. Ngoài ra, ổ SSD dùng phương pháp mã hóa 256-bit AES để bảo vệ dữ liệu, đồng thời hỗ trợ Windows 7 TRIM (các lệnh để điều khiển ổ SSD hoạt động). Ổ SSD mới với dung lượng 512GB sẽ bắt đầu sản xuất vào tháng 7/2010.
