Bộ nhớ đổi pha (Phase-change Memory - PCM) là công nghệ bộ nhớ hứa hẹn sẽ đặt ra một tiêu chuẩn mới và thay thế cho bộ nhớ NAND Flash hiện đang được dùng phổ biến trên các thiết bị điện tử. Vậy PCM hơn gì so với bộ nhớ NAND Flash? Tại hội nghị Flash Memory Summit sắp diễn ra, HGST - một công ty con của Western Digital sẽ trình diễn và so sánh hiệu năng giữa PCM và NAND. Theo đó, công ty sẽ giới thiệu một nguyên mẫu ổ SSD dùng bộ nhớ PCM cho tốc độ đọc ghi ngẫu nhiên lên đến 3 triệu IOPS với mỗi 512 byte dữ liệu và độ trễ truy xuất đọc ngẫu nhiên chỉ 1,5 micro giây.
Độ trễ truy xuất (đọc) ngẫu nhiên của một ổ cứng NAND thông thường vào khoảng 100 micro giây. Theo HGST, hiệu năng của ổ NAND thường bị giới hạn ở điều kiện hoạt động thực tế với tốc độ chỉ đạt khoảng 13.000 IOPS thay vì trên 90.000 IOPS theo lý thuyết và độ trễ truy xuất đọc ngẫu nhiên khoảng 70 micro giây.
Bằng việc tái kết cấu giao thức bus được HGST gọi là DC Express dựa trên PCI Express và sử dụng chuẩn giao tiếp mới NVMe đồng thời loại bỏ các giao tiếp dữ liệu không cần thiết, HGST có thể tăng hiệu năng của ổ cứng từ 13.000 IOPS lên đến 700.000 IOPS với cùng một loại vật liệu.
Theo Steve Campell - CTO của HGST: "PCM SSD là một ví dụ điển hình cho thấy cách HGST vạch ra con đường cách mạng hóa ngành công nghiệp lưu trữ. Công nghệ này là kết quả của nhiều năm nghiên cứu và các phát triển tiên tiến nhắm đến mục tiêu tạo ra một sự nhảy vọt về hiệu năng lưu trữ cho các ứng dụng doanh nghiệp. Sự kết hợp giữa giao thức độ trễ thấp và thế hệ bộ nhớ không khả biến tiếp theo mang lại hiệu năng chưa từng có từ trước đến nay và mở ra những cơ hội hấp dẫn cho các phần mềm và cấu trúc hệ thống mới mà HGST đang khai thác với các khách hành và đối tác công nghiệp."
Một tin vui là các thiết bị được HGST trình diễn được phát triển theo mục tiêu dài hạn nhằm sản xuất các sản phẩm ổ cứng thể rắn dùng công nghệ PCM. Nhưng tin buồn là chúng ta vẫn cần phải đợi thêm vài năm nữa trước khi sản phẩm cuối cùng được thương mại hóa. Tương tự phần cứng được IBM trình diễn hồi đầu năm nay, phần cứng của HGST được phát triển dựa trên chip nhớ PCM của Micron. Hiện tại, bộ nhớ PCM được kỳ vọng sẽ xuất hiện trên thị trường vào năm 2016 nhưng sẽ không cạnh tranh trực tiếp với NAND Flash trong tất cả ứng dụng, thay vào đó sẽ tập trung nhiều hơn vào mảng hệ thống lưu trữ cho doanh nghiệp và máy chủ.
Xem thêm về bộ nhớ PCM:
- Micron công bố chip nhớ thay đổi theo pha đầu tiên cho thiết bị di động
- Đại học Cambridge phát triển bộ nhớ thay đổi theo pha nhanh gấp 10 lần so với trước
- Bộ nhớ PCM - phát minh mới của IBM cho tốc độ r/w gấp 100 lần flash
Nguồn: HGST
