IMEC - một trong các đối tác quan trọng giúp ASML phát triển công nghệ High-NA (0.55) EUV - vừa công bố vài hình ảnh về các cấu trúc bán dẫn được sản xuất trên nền tảng in litho mới nhất này.
Mặc dù là cái tên hot nhất ngành bán dẫn hiện nay nhưng ASML (Hà Lan) không hề đơn độc một mình trong cuộc đua EUV mà còn dựa vào nhiều đối tác để cùng nghiên cứu. Một trong số các đối tác đó là IMEC (Bỉ), đơn vị sát cánh với ASML từ những ngày đầu tiên phát triển 0.55 NA EUV. Mới đây nhất, IMEC vừa công bố vài kết quả sơ bộ từ hệ thống TWINSCAN EXE:5000 (đang phân phối cho Intel và Samsung) cho thấy khả năng của nền tảng in litho mới nhất này.
Cụ thể, IMEC cho biết chỉ một lần phơi sáng duy nhất, hệ thống 0.55 NA EUV đã tạo được các mạch logic có bề dày nét kim loại 9.5 nm, cùng với khoảng pitch 19 nm, cho phép đạt cự ly 2 đầu (tip-to-tip) dưới 20 nm. Bên cạnh đó, cấu trúc xuyên lỗ (vias) ngẫu nhiên với khoảng cách 2 tâm 30 nm cũng cho thấy độ rõ nét cũng như sự đồng nhất tuyệt vời. Ngoài ra, các chi tiết 2D ở cự ly P22 nm cũng thể hiện rõ hiệu suất vượt mong đợi, cho thấy tiềm năng ứng dụng High-NA vào việc đi mạch (routing) 2D.
Cấu trúc mạch logic có bề dày kim loại 9.5 nm và khoảng cách 19 nm
Mặc dù là cái tên hot nhất ngành bán dẫn hiện nay nhưng ASML (Hà Lan) không hề đơn độc một mình trong cuộc đua EUV mà còn dựa vào nhiều đối tác để cùng nghiên cứu. Một trong số các đối tác đó là IMEC (Bỉ), đơn vị sát cánh với ASML từ những ngày đầu tiên phát triển 0.55 NA EUV. Mới đây nhất, IMEC vừa công bố vài kết quả sơ bộ từ hệ thống TWINSCAN EXE:5000 (đang phân phối cho Intel và Samsung) cho thấy khả năng của nền tảng in litho mới nhất này.
Cụ thể, IMEC cho biết chỉ một lần phơi sáng duy nhất, hệ thống 0.55 NA EUV đã tạo được các mạch logic có bề dày nét kim loại 9.5 nm, cùng với khoảng pitch 19 nm, cho phép đạt cự ly 2 đầu (tip-to-tip) dưới 20 nm. Bên cạnh đó, cấu trúc xuyên lỗ (vias) ngẫu nhiên với khoảng cách 2 tâm 30 nm cũng cho thấy độ rõ nét cũng như sự đồng nhất tuyệt vời. Ngoài ra, các chi tiết 2D ở cự ly P22 nm cũng thể hiện rõ hiệu suất vượt mong đợi, cho thấy tiềm năng ứng dụng High-NA vào việc đi mạch (routing) 2D.
Cấu trúc mạch logic có bề dày kim loại 9.5 nm và khoảng cách 19 nm
Cấu trúc xuyên lỗ (vias) ngẫu nhiên cự ly 2 tâm 30 nm
Cấu trúc 2D với cự ly P22 nm
Cấu trúc kết hợp node landing pad và DRAM bit line
Ngoài năng lực in mạch logic ra, IMEC cũng thử nghiệm việc in mẫu DRAM bằng High-NA. Kết quả cho thấy chỉ 1 lần phơi sáng đã kết hợp được cả phần thiết kế storage node landing pad với bit line periphery của DRAM, ở cự ly P32 nm. Bước tiến này cho thấy hoàn toàn có thể loại bỏ việc phơi sáng nhiều lần để tạo ra các chi tiết bộ nhớ chỉ bằng 1 lần phơi sáng High-NA.
Những thông tin này là cơ sở quan trọng để xây dựng ra "hệ sinh thái" High-NA EUV, không chỉ riêng với IMEC hay ASML mà còn với nhiều đối tác bán dẫn khác. Chỉ khi hệ thống in litho 0.55 NA cho thấy chất lượng thực sự vượt trội hơn 0.33 NA, thì đó mới là cơ sở cho những công ty sản xuất chip như TSMC, UMC hay Samsung xem xét việc đầu tư vào. Hiện tại, duy nhất mỗi Intel là đang sở hữu hệ thống High-NA EUV đầu tiên trên thế giới (ngoài ASML).
