Hôm thứ 4 vừa qua Samsung đã khởi động hoạt động sản xuất hàng loạt chip nhớ DDR4 dùng tiến trình lớp 10 nm thế hệ 2 (Samsung gọi là 1y nm). Công nghệ sản xuất mới này sẽ thu nhỏ kích thước đế chip DRAM và cải tiến hiệu năng cũng như điện năng tiêu thụ. Để đạt được điều này, Samsung đã thiết kế mới mạch điện và khai thác công nghệ air spacer được hãng này triển khai lần đầu trên tiến trình 20 nm dành cho bộ nhớ DRAM năm 2015.
Chi tiết hơn thì các chip mới sản xuất trên tiến trình 1y nm sẽ có dung lượng 8 Gb, đạt tỉ lệ truyền tải dữ liệu 3600 MT/s ở 1,2 V. Theo Samsung các đế D-die này chạy nhanh hơn 12,5% so với thế hệ trước là C-die (3200 MT/s) cũng như tiết kiệm 15% điện năng. Thêm vào đó, các chip nhớ 8 Gb mới còn khai thác một hệ thống cảm nhận dữ liệu nằm trong cell nhớ giúp xác định chính xác vị trí dữ liệu được lưu trên mỗi cell. Từ đó cell được thu nhỏ lại khiến kích thước đế chip nhỏ hơn. Cũng nhờ kích thước đế chip nhỏ hơn nên Samsung có thể thu hoạch được nhiều chip hơn trên cùng một tấm wafer 300 nm. So với C-die thế hệ trước thì D-die cho sản lượng nhiều hơn 30%.
Samsung cho biết hệ thống cảm nhận dữ liệu trong cell cũng như công nghệ air spacer sẽ được dùng trên nhiều loại DRAM khác bao gồm DDR5, HBM3, LPDDR5 và GDDR6. Điều này có nghĩa 2 thành phần này sẽ tiếp tục được sử dụng trong nhiều năm tới. Theo lộ trình sớm nhất thì GDDR6 khả năng sẽ là loại DRAM đầu tiên dùng các chip nhớ 8 Gb tiến trình 1y nm của Samsung.
Các nhà sản xuất CPU hàng đầu hiện nay như Intel, AMD, Qualcomm … cũng đã xác thực hiệu năng của các chip nhớ 8 Gb DDR4-3600 sản xuất trên tiến trình mới của Samsung. Bước tiếp theo của Samsung sẽ là đưa các thanh RAM dùng chip nhớ mới đến các hãng làm máy tính để phê chuẩn.
Ngoài ra, Samsung cũng cho biết hãng sẽ đẩy mạnh hoạt động sản xuất chip nhớ, không chỉ DDR4 mà còn cả bộ nhớ DRAM cho thiết bị di động trên tiến trình lớp 10 nm nhằm đáp ứng nhu cầu ngày một tăng trong phân khúc thiết bị điện tử cao cấp.
Chi tiết hơn thì các chip mới sản xuất trên tiến trình 1y nm sẽ có dung lượng 8 Gb, đạt tỉ lệ truyền tải dữ liệu 3600 MT/s ở 1,2 V. Theo Samsung các đế D-die này chạy nhanh hơn 12,5% so với thế hệ trước là C-die (3200 MT/s) cũng như tiết kiệm 15% điện năng. Thêm vào đó, các chip nhớ 8 Gb mới còn khai thác một hệ thống cảm nhận dữ liệu nằm trong cell nhớ giúp xác định chính xác vị trí dữ liệu được lưu trên mỗi cell. Từ đó cell được thu nhỏ lại khiến kích thước đế chip nhỏ hơn. Cũng nhờ kích thước đế chip nhỏ hơn nên Samsung có thể thu hoạch được nhiều chip hơn trên cùng một tấm wafer 300 nm. So với C-die thế hệ trước thì D-die cho sản lượng nhiều hơn 30%.
Samsung cho biết hệ thống cảm nhận dữ liệu trong cell cũng như công nghệ air spacer sẽ được dùng trên nhiều loại DRAM khác bao gồm DDR5, HBM3, LPDDR5 và GDDR6. Điều này có nghĩa 2 thành phần này sẽ tiếp tục được sử dụng trong nhiều năm tới. Theo lộ trình sớm nhất thì GDDR6 khả năng sẽ là loại DRAM đầu tiên dùng các chip nhớ 8 Gb tiến trình 1y nm của Samsung.
Các nhà sản xuất CPU hàng đầu hiện nay như Intel, AMD, Qualcomm … cũng đã xác thực hiệu năng của các chip nhớ 8 Gb DDR4-3600 sản xuất trên tiến trình mới của Samsung. Bước tiếp theo của Samsung sẽ là đưa các thanh RAM dùng chip nhớ mới đến các hãng làm máy tính để phê chuẩn.
Ngoài ra, Samsung cũng cho biết hãng sẽ đẩy mạnh hoạt động sản xuất chip nhớ, không chỉ DDR4 mà còn cả bộ nhớ DRAM cho thiết bị di động trên tiến trình lớp 10 nm nhằm đáp ứng nhu cầu ngày một tăng trong phân khúc thiết bị điện tử cao cấp.
Theo: AnandTech
