Theo báo cáo từ ETNews, chuẩn bộ nhớ băng thông cao (HBM) sẽ không còn bị giới hạn trên các hệ thống máy chủ. Samsung hiện đang phát triển một công nghệ đóng gói đặc thù nhằm đưa chuẩn RAM tốc độ cao này lên điện thoại thông minh và máy tính bảng. Mục tiêu cốt lõi của hãng là gia tăng sức mạnh xử lý AI trực tiếp trên thiết bị (on-device AI) mà không làm ảnh hưởng đến không gian linh kiện hay mức tiêu thụ năng lượng.
Khác với DRAM di động truyền thống sử dụng liên kết dây đồng dễ gây thất thoát tín hiệu, Samsung áp dụng công nghệ đóng gói Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP) kết hợp với cấu trúc xếp chồng cột đồng thẳng đứng (VCS). Cụ thể, các khuôn DRAM sẽ được xếp theo dạng "bậc thang". Hãng đã tăng tỷ lệ khung hình của các cột đồng từ mức 3-5:1 lên 15:1–20:1 để mở rộng băng thông.
Tuy nhiên, việc này làm đường kính cột đồng bị thu nhỏ dưới 10 micromet, dễ gây gãy nứt. Để khắc phục, công nghệ FOWLP được sử dụng nhằm tăng cường độ bền kết cấu và mở rộng hệ thống dây dẫn. Giải pháp này giúp tăng số lượng kết nối I/O, từ đó cải thiện thêm 30% băng thông cho thiết bị.
Về lộ trình thương mại, công nghệ HBM trên di động có thể xuất hiện đầu tiên cùng vi xử lý Exynos 2800 hoặc 2900 của Samsung. Dù Apple và Huawei cũng đang nghiên cứu hướng đi tương tự, rào cản lớn nhất hiện nay vẫn là chi phí sản xuất. Việc phổ cập bộ nhớ HBM trên smartphone nhiều khả năng sẽ chỉ diễn ra khi giá thành linh kiện DRAM trên thị trường ổn định trở lại.
Khác với DRAM di động truyền thống sử dụng liên kết dây đồng dễ gây thất thoát tín hiệu, Samsung áp dụng công nghệ đóng gói Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP) kết hợp với cấu trúc xếp chồng cột đồng thẳng đứng (VCS). Cụ thể, các khuôn DRAM sẽ được xếp theo dạng "bậc thang". Hãng đã tăng tỷ lệ khung hình của các cột đồng từ mức 3-5:1 lên 15:1–20:1 để mở rộng băng thông.
Tuy nhiên, việc này làm đường kính cột đồng bị thu nhỏ dưới 10 micromet, dễ gây gãy nứt. Để khắc phục, công nghệ FOWLP được sử dụng nhằm tăng cường độ bền kết cấu và mở rộng hệ thống dây dẫn. Giải pháp này giúp tăng số lượng kết nối I/O, từ đó cải thiện thêm 30% băng thông cho thiết bị.
Về lộ trình thương mại, công nghệ HBM trên di động có thể xuất hiện đầu tiên cùng vi xử lý Exynos 2800 hoặc 2900 của Samsung. Dù Apple và Huawei cũng đang nghiên cứu hướng đi tương tự, rào cản lớn nhất hiện nay vẫn là chi phí sản xuất. Việc phổ cập bộ nhớ HBM trên smartphone nhiều khả năng sẽ chỉ diễn ra khi giá thành linh kiện DRAM trên thị trường ổn định trở lại.
