3,2 GB/s đọc/ghi tuần tự, 750k/170k IOPS lần lượt với đọc/ghi ngẫu nhiên là tốc độ của chiếc SSD Samsung SZ985 - chiếc ổ dùng công nghệ Z-NAND mới nhất của hãng này. SZ985 sẽ cạnh tranh trực tiếp với Intel DC P4800X Optane dùng công nghệ 3D Xpoint của Intel theo tiêu chí hiệu năng đủ tốt và giá thành rẻ hơn. Cho đến hiện tại Samsung định hướng ổ SZ985 đến đối tượng khách hàng là các trung tâm dữ liệu nhưng phiên bản dành cho người tiêu dùng cũng hứa hẹn sẽ sớm xuất hiện.
Trước SZ985, Samsung đã bán ra dòng PM1725a dành cho máy chủ và các trung tâm dữ liệu với hiệu năng lý thuyết rất cao. PM1725a vẫn dùng công nghệ 3D TLC NAND 48 lớp nhưng có thể đạt đến 1080k IOPS đọc ngẫu nhiên và 170k IOPS ghi ngẫu nhiên với giao tiếp PCIe 3.0 x8. SZ985 dùng công nghệ Z-NAND có tốc độ đọc thấp hơn nhưng điều quan trọng là độ trễ. Samsung nhấn mạnh yếu tố này khi nói đây là ổ SSD có độ trễ truy xuất siêu thấp với chỉ từ 12 đến 20 micro giây khi đọc ngẫu nhiên và 16 micro giây ghi ngẫu nhiên. Những con số về độ trễ này nhìn chung thấp hơn đáng kể so với các loại SSD dùng NAND thông thường trong bảng so sánh trên nhưng vẫn chưa phải là thấp nhất nếu so với Intel Optane. Hiệu năng đọc ghi ngẫu nhiên của SZ985 vẫn chưa đạt được sự cân bằng như Intel DC P4800X Optane với tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên lần lượt là 550k và 500k IOPS. Dù vậy chiến lược của Samsung là cung cấp giải pháp cân bằng giữa hiệu năng và chi phí. Đối với khách hàng doanh nghiệp thì rẻ và đủ tốt là 2 yếu tố thường được ưu tiên.
SZ985 có độ bền cao với 30 DWPD tương đương với đối thủ đến từ Intel. Thông tin chi tiết về Z-NAND vẫn chưa được tiết lộ nhưng hãng xác nhận rằng công nghệ này thực tế sử dụng MLC NAND theo thiết lập SLC (single-level cell) nhằm mang lại hiệu năng vã độ bền tối ưu. Chưa rõ Samsung đã thực hiện những thay đổi gì trên Z-NAND, hãng nói chung chung rằng đã thiết kế lại mạch thì khả năng cao là rút ngắn các hàng (wordline) và cột (bitline) trong kiến trúc NAND nhằm cải thiện hiệu năng. Thêm vào đó cũng có thể đế NAND có thêm các plane - thành phần của đế NAND chịu trách nhiệm đáp ứng truy xuất dữ liệu. Ngoài ra, Samsung cũng tích hợp vi điều khiển mới trên SZ985.
Một thông tin nữa là Samsung đang phát triển một biến thể dùng MLC NAND với hiệu năng thấp hơn nhưng dung lượng lớn hơn. Hiện tại ổ SZ985 của Samssung có dung lượng 800 GB, đủ để cạnh tranh với DC P8400X Optane nhưng vẫn thua xa so với dung lượng có thể cung cấp của các dòng ổ dùng NAND thông thường như Samsung PM1725a đến 6,4 TB hay Intel DC P3700 đến 2 TB.
Việc tận dụng công nghệ NAND vốn đã trưởng thành được xem là bước đi rất thông minh của Samsung, nhất là về khía cạnh kinh tế. Dùng NAND giúp giảm chi phí sản xuất các loại bộ nhớ mới đòi hỏi quy mô hay tiến trình vốn phải mất nhiều năm. Hồi tuần qua, Intel và Micron đã vừa công bố cả 2 sẽ mở rộng sản xuất bộ nhớ 3D Xpoint, khả năng là hướng đến thế hệ thứ 2 trong năm tới. Ngược lại, Samsung đã đạt được năng lực sản xuất bộ nhớ NAND đủ dồi dào nên việc chuyển sang Z-NAND vốn vẫn dựa trên NAND không đòi hỏi đầu tư quá nhiều và ít nguy cơ thiếu hụt.
Một thông tin nữa là Samsung đang phát triển một biến thể dùng MLC NAND với hiệu năng thấp hơn nhưng dung lượng lớn hơn. Hiện tại ổ SZ985 của Samssung có dung lượng 800 GB, đủ để cạnh tranh với DC P8400X Optane nhưng vẫn thua xa so với dung lượng có thể cung cấp của các dòng ổ dùng NAND thông thường như Samsung PM1725a đến 6,4 TB hay Intel DC P3700 đến 2 TB.
Việc tận dụng công nghệ NAND vốn đã trưởng thành được xem là bước đi rất thông minh của Samsung, nhất là về khía cạnh kinh tế. Dùng NAND giúp giảm chi phí sản xuất các loại bộ nhớ mới đòi hỏi quy mô hay tiến trình vốn phải mất nhiều năm. Hồi tuần qua, Intel và Micron đã vừa công bố cả 2 sẽ mở rộng sản xuất bộ nhớ 3D Xpoint, khả năng là hướng đến thế hệ thứ 2 trong năm tới. Ngược lại, Samsung đã đạt được năng lực sản xuất bộ nhớ NAND đủ dồi dào nên việc chuyển sang Z-NAND vốn vẫn dựa trên NAND không đòi hỏi đầu tư quá nhiều và ít nguy cơ thiếu hụt.
Theo: Tom's Hardware
