Theo lộ trình, Samsung sẽ cho ra mắt bộ nhớ HBM thế hệ kế tiếp vào năm 2025. Kể từ khi xuất hiện lần đầu hồi 2013, High Bandwidth Memory đã và đang góp mặt ở nhiều thiết bị, phục vụ nhu cầu bộ nhớ băng thông cao để xử lý tác vụ nặng. Hiện tại Samsung đang đi vào sản xuất đại trà HBM2E và HBM3, đã phát triển HBM3E với băng thông tới 9.8 Gbps. Samsung cho biết việc phát triển HBM4 đang đi đúng kế hoạch
Nếu anh em có từng nghe qua card đồ họa AMD Radeon RX Fury và Radeon RX Vega thì chắc hẳn biết là chúng có hiệu năng lúc bấy giờ rất đáng chú ý, phần lớn nhờ HBM. Ngày ra thì băng thông nhớ cao không chỉ để phục vụ game thủ, nó còn mang ý nghĩa quan trọng khi xu hướng và ứng dụng AI càng lúc càng phổ biến. Báo cáo gần nhất cho thấy HBM4 sẽ có giao diện nhớ (memory interface hay bus width) 2048 bit, gấp đôi bus 1024 bit hiện tại.
Theo Sang Joon Hwang, Phó Chủ tịch Điều hành Sản phẩm và Công nghệ DRAM của Samsung, HBM thế hệ 6 sẽ được hỗ trợ bởi các công nghệ tối ưu hóa về nhiệt độ và cả hiệu suất năng lượng, bao gồm “non-conductive film” (NCF) và “hybrid copper bonding” (HCB). Màng không dẫn điện NCF là 1 lớp polymer bảo vệ các mối hàn khỏi lớp cách điện và sốc cơ học giữa các lớp chip xếp chồng. Trong khi đó liên kết đồng lai HCB là công nghệ liên kết thế hệ mới, sử dụng đồng và màng oxit thay vì hàn thông thường.
Samsung
Nếu anh em có từng nghe qua card đồ họa AMD Radeon RX Fury và Radeon RX Vega thì chắc hẳn biết là chúng có hiệu năng lúc bấy giờ rất đáng chú ý, phần lớn nhờ HBM. Ngày ra thì băng thông nhớ cao không chỉ để phục vụ game thủ, nó còn mang ý nghĩa quan trọng khi xu hướng và ứng dụng AI càng lúc càng phổ biến. Báo cáo gần nhất cho thấy HBM4 sẽ có giao diện nhớ (memory interface hay bus width) 2048 bit, gấp đôi bus 1024 bit hiện tại.
Theo Sang Joon Hwang, Phó Chủ tịch Điều hành Sản phẩm và Công nghệ DRAM của Samsung, HBM thế hệ 6 sẽ được hỗ trợ bởi các công nghệ tối ưu hóa về nhiệt độ và cả hiệu suất năng lượng, bao gồm “non-conductive film” (NCF) và “hybrid copper bonding” (HCB). Màng không dẫn điện NCF là 1 lớp polymer bảo vệ các mối hàn khỏi lớp cách điện và sốc cơ học giữa các lớp chip xếp chồng. Trong khi đó liên kết đồng lai HCB là công nghệ liên kết thế hệ mới, sử dụng đồng và màng oxit thay vì hàn thông thường.
Samsung
