Xe hơi cũng cần có bộ nhớ tốc độ cao dành cho các hệ thống trợ lái ADAS cũng như hệ thống thông tin giải trí và hôm nay Toshiba đã công bố dòng chip nhớ eUFS mới với dung lượng từ 16 đến 128 GB (tùy chọn 256 GB sẽ xuất hiện trong Q2 2018) có khả năng hoạt động ở điều kiện khắc nghiệt và hỗ trợ nhiều tính năng được thiết kế để tăng độ ổn định và bảo toàn hiệu năng cho xe hơi.
Dòng chip nhớ eUFS của Toshiba dành cho xe hơi được phát triển dựa trên các đế MLC NAND 128 Gb tiến trình 15 nm và sử dụng vi điều khiển do chính hãng này tự phát triển. Bộ nhớ này tương thích với cấu hình UFS 2.1 HS-G3, sử dụng 2 lane HS-Gear3 full-duplex cho tốc độ truyền tải dữ liệu 5,8 GT/s cho mỗi lane và có thể cung cấp băng thông tối đa 1200 MB/s trên lý thuyết. Toshiba không cho biết hiệu năng thực tế của dòng chip nhớ eUFS mới, thông thường tốc độ đọc tuần tự của một thiết bị lưu trữ eUFS 64 GB sẽ cao hơn khoảng 170% so với bộ nhớ 64 GB eMMC.
Ngoài ra chip nhớ eUFS mới của Toshiba còn đạt chuẩn AEC-Q100 Grade 2 - một tiêu chuẩn về độ bền đối với các thiết bị có thể hoạt động trong các điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt từ -40 đến 105 độ C trong một khoảng thời gian dài. Thêm vào đó, eUFS còn tích hợp một loạt tính năng để cải thiện độ ổn định và độ bền. Ngoài các tính năng quản lý NAND thông thường như bad block, sửa lỗi tự động, thu thập dữ liệu rác (garbage collection) và độ hao mòn (wear leveling) thường thấy trên những chiếc ổ SSD thì vi điều khiển của Toshiba còn giám sát chu kỳ P/E, nhiệt độ và các yếu tố khác. Tất cả sẽ được thông báo cho vi xử lý hệ thống để có thể phản hồi kịp thời. Chẳng hạn như nếu cảm biến tích hợp phát hiện ra nhiệt độ của thiết bị vượt quá 105 độ C thì nó sẽ thông báo cho vi điều khiển để bắt đầu cắt giảm hiệu năng của thiết bị nhằm giảm nhiệt độ và cảnh báo vi điều khiển để can thiệp nếu cần. Vi điều khiển cũng tự động thực hiện chức năng làm mới để bảo vệ dữ liệu bằng cách chuyển dữ liệu từ cell này sang cell kia.
Dòng chip nhớ eUFS của Toshiba dành cho xe hơi được phát triển dựa trên các đế MLC NAND 128 Gb tiến trình 15 nm và sử dụng vi điều khiển do chính hãng này tự phát triển. Bộ nhớ này tương thích với cấu hình UFS 2.1 HS-G3, sử dụng 2 lane HS-Gear3 full-duplex cho tốc độ truyền tải dữ liệu 5,8 GT/s cho mỗi lane và có thể cung cấp băng thông tối đa 1200 MB/s trên lý thuyết. Toshiba không cho biết hiệu năng thực tế của dòng chip nhớ eUFS mới, thông thường tốc độ đọc tuần tự của một thiết bị lưu trữ eUFS 64 GB sẽ cao hơn khoảng 170% so với bộ nhớ 64 GB eMMC.
Ngoài ra chip nhớ eUFS mới của Toshiba còn đạt chuẩn AEC-Q100 Grade 2 - một tiêu chuẩn về độ bền đối với các thiết bị có thể hoạt động trong các điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt từ -40 đến 105 độ C trong một khoảng thời gian dài. Thêm vào đó, eUFS còn tích hợp một loạt tính năng để cải thiện độ ổn định và độ bền. Ngoài các tính năng quản lý NAND thông thường như bad block, sửa lỗi tự động, thu thập dữ liệu rác (garbage collection) và độ hao mòn (wear leveling) thường thấy trên những chiếc ổ SSD thì vi điều khiển của Toshiba còn giám sát chu kỳ P/E, nhiệt độ và các yếu tố khác. Tất cả sẽ được thông báo cho vi xử lý hệ thống để có thể phản hồi kịp thời. Chẳng hạn như nếu cảm biến tích hợp phát hiện ra nhiệt độ của thiết bị vượt quá 105 độ C thì nó sẽ thông báo cho vi điều khiển để bắt đầu cắt giảm hiệu năng của thiết bị nhằm giảm nhiệt độ và cảnh báo vi điều khiển để can thiệp nếu cần. Vi điều khiển cũng tự động thực hiện chức năng làm mới để bảo vệ dữ liệu bằng cách chuyển dữ liệu từ cell này sang cell kia.
Theo: AnandTech
