Samsung vừa mới công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ eUFS 3.0 với dung lượng cao nhất là 512GB, tốc độ cao. Tiếc là bộ đôi Galaxy S10/S10+ chưa được tích hợp chuẩn chip nhớ thế hệ mới với tốc độ thực thi nhanh hơn thẻ microSD lên tới 20 lần. Tới nửa sau năm 2019, Samsung sẽ sản xuất eUFS 3.0 dung lượng 1TB, hy vọng nó sẽ xuất hiện trên chiếc Note 10.
eUFS 3.0 có tốc độ nhanh hơn gấp đôi so với chuẩn eUFS 2.0 trước đây, theo Samsung thì nó đạt tới ngưỡng của những notebook siêu mỏng ngày nay về tốc độ đọc và ghi. Trên thực tế, eUFS 3.0 sẽ cho phép smartphone có tốc độ đọc lên tới 2100MB/giây và tốc độ ghi đạt 410MB/giây. Nhanh gấp 20 lần thẻ microSD hoặc gấp 4 lần ổ SSD SATA.
Chip nhớ eUFS 3.0 512GB và 128GB đã bắt đầu được sản xuất từ tháng này. Trong khi tùy chọn 1TB và 256GB của nó sẽ được sản xuất từ nửa sau năm nay.
eUFS 3.0 có tốc độ nhanh hơn gấp đôi so với chuẩn eUFS 2.0 trước đây, theo Samsung thì nó đạt tới ngưỡng của những notebook siêu mỏng ngày nay về tốc độ đọc và ghi. Trên thực tế, eUFS 3.0 sẽ cho phép smartphone có tốc độ đọc lên tới 2100MB/giây và tốc độ ghi đạt 410MB/giây. Nhanh gấp 20 lần thẻ microSD hoặc gấp 4 lần ổ SSD SATA.
Chip nhớ eUFS 3.0 512GB và 128GB đã bắt đầu được sản xuất từ tháng này. Trong khi tùy chọn 1TB và 256GB của nó sẽ được sản xuất từ nửa sau năm nay.
Nguồn: Samsung