Tại triễn lãm Flash Memory Summit, Samsung đã giới thiệu 2 công nghệ bộ nhớ mới là Z-NAND và HybriDIMM. Mục tiêu của hãng điện tử Hàn Quốc là rất rõ ràng: cạnh tranh với 3D XPoint của Intel và Micron ở cả lĩnh vực lưu trữ (SSD) lẫn bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên (RAM)
Z-NAND cạnh tranh với 3D XPoint ở lĩnh vực lưu trữ (SSD)
Thế hệ ổ cứng thể rắn mới của Samsung mang tên Z-SSD sẽ sử dụng chip nhớ flash Z-NAND. Theo giới thiệu của hãng, hiệu năng của nó không chỉ cao hơn các loại chip flash NAND (cụ thể là dòng SSD cao cấp PM963 của Samsung) hiện nay mà còn hơn cả chip nhớ PRAM. PRAM (Phase-change RAM) là loại bộ nhớ dạng thuỷ tinh mà nhiều người cho rằng được sử dụng trong công nghệ 3D XPoint của Intel/Micron.
Độ bền của chip nhớ Z-NAND được cho là sẽ ngang với chip flash NAND SLC cao cấp, thường chỉ được dùng trong các dòng SSD cực kỳ đắt tiền dành cho doanh nghiệp.
Z-NAND cạnh tranh với 3D XPoint ở lĩnh vực lưu trữ (SSD)
Thế hệ ổ cứng thể rắn mới của Samsung mang tên Z-SSD sẽ sử dụng chip nhớ flash Z-NAND. Theo giới thiệu của hãng, hiệu năng của nó không chỉ cao hơn các loại chip flash NAND (cụ thể là dòng SSD cao cấp PM963 của Samsung) hiện nay mà còn hơn cả chip nhớ PRAM. PRAM (Phase-change RAM) là loại bộ nhớ dạng thuỷ tinh mà nhiều người cho rằng được sử dụng trong công nghệ 3D XPoint của Intel/Micron.
Độ bền của chip nhớ Z-NAND được cho là sẽ ngang với chip flash NAND SLC cao cấp, thường chỉ được dùng trong các dòng SSD cực kỳ đắt tiền dành cho doanh nghiệp.
Một trong những lợi thế của Z-NAND là nó được phát triển dựa trên công nghệ flash NAND hiện nay, cho phép chí phí sản xuất thấp hơn rất nhiều so với 3D Xpoint. Intel và Micron phải đầu tư rất nhiều tiền để xây dựng dây chuyền sản xuất bộ nhớ mới, vì vậy giá của SSD sử dụng công nghệ 3D XPoint dự kiến gấp từ 4 đến 5 lần SSD hiện tại.
HybriDIMM cạnh tranh với 3D XPoint ở lĩnh vực RAM
Không dừng lại ở mảng ổ cứng, Samsung còn có tham vọng cạnh tranh với 3D XPoint trong lĩnh vực bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (RAM). Công nghệ mới mà hãng điện tử Hàn Quốc trình diễn là HybriDIMM, đồng phát triển với Netlost dựa trên công nghệ HyperVault.
Đây là kết quả của 23 triệu đô la mà hãng điện tử Hàn Quốc đầu tư vào Netlist để phát triển công nghệ HyperVault. Các sản phẩm sử dụng công nghệ HybriDIMM, kết nối với máy tính thông qua khe DDR4 LRDIMM, cho phép hệ thống có thể truy cập lượng lớn chip flash (lên đến 512 GB ở thế hệ đầu và 1 TB ở thế hệ thứ 2) dưới dạng bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên (RAM) hoặc bộ nhớ lưu trữ.
Điểm đặc biệt là không như 3D XPoint buộc các hãng phải lập trình lại BIOS, HybriDIMM sử dụng thuật toán PreSight để dự đoán trước dữ liệu cần được truy cập và chia nhỏ lượng DRAM thành từng phần (8-16 GB). Như vậy nó hoàn toàn tương thích với phương thức hoạt động của bộ nhớ ngẫu nhiên (RAM) hiện nay.
Công nghệ mới sẽ cho phép các hệ thống máy chủ có thể sở hữu dung lượng RAM hàng TB với chi phí đầu tư thấp hơn so với 3D Xpoint trong tương lai lẫn DRAM hiện nay. Tạm thời thì HybriDIMM vẫn sử dụng chip nhớ NAND của Samsung, tuy nhiên không loại trừ hãng sẽ chuyển sang Z-NAND trong tương lai.
Samsung đối đầu với Intel và Micron
Quảng cáo
Với Z-NAND và HybriDIMM, chiến lược của Samsung rất khác so với 3D XPoint của Intel và Micron. Thay vì phát triển công nghệ hiệu năng cao mới hoàn toàn với chi phí đắt đỏ (3D XPoint), hãng điện tử Hàn Quốc cải tiến những công nghệ hiện có. Mặc dù hiệu năng tăng lên không nhiều như đối thủ, tuy nhiên sản phẩm (Z-NAND và HybriDIMM) của Samsung có chi phí thấp và độ tương thích tốt hơn.
SSD sử dụng công nghệ 3D Xpoint
Chiến lược nào sẽ thành công thì chúng ta phải chờ đến khi 3D XPoint, Z-NAND và HybriDIMM chính thức được bán ra thị trường.
Theo Tom's Hardware