Tại sự kiện Technology and Manufacturing Day diễn ra ở Bắc Kinh - Trung Quốc, Intel đã chia sẻ một số thông tin liên quan đến công nghệ mới trong lĩnh vực lưu trữ, trong đó có đề cập đến việc gia tăng sức mạnh của chip 3D NAND 64 lớp mà hãng đang theo đuổi.
Như chúng ta đã biết, non-volatile memory (bộ nhớ bất biến) luôn là lựa chọn hàng đầu trong tiến trình sản xuất tấm bán dẫn mới vì ít xảy ra rủi ro. Bên cạnh đó, chi phí cho việc nghiên cứu và phát triển NAND Flash chỉ chiếm một phần nhỏ so với một thứ gì đó đặc biệt như đế CPU chẳng hạn.
Với quy trình 10nm, Intel giới thiệu công nghệ FinFET Hyper Scaling mới, cho phép gia tăng số lượng transistor (bóng bán dẫn) gấp 2,7 lần so với thế hệ chip 10nm đầu tiên là 10LPE. Điều này giúp mở rộng khả năng lưu trữ của chip so với trước đây. Dự kiến các chip 3D NAND 64 lớp đầu tiên sẽ sớm có mặt trên thị trường trong thời gian tới. Tuy nhiên do sản lượng hạn chế và giá bán khá cao nên các sản phẩm SSD sử dụng chip 3D NAND mới chủ yếu hướng đến khách hàng doanh nghiệp, dùng trong các trung tâm dữ liệu.
Như chúng ta đã biết, non-volatile memory (bộ nhớ bất biến) luôn là lựa chọn hàng đầu trong tiến trình sản xuất tấm bán dẫn mới vì ít xảy ra rủi ro. Bên cạnh đó, chi phí cho việc nghiên cứu và phát triển NAND Flash chỉ chiếm một phần nhỏ so với một thứ gì đó đặc biệt như đế CPU chẳng hạn.
Với quy trình 10nm, Intel giới thiệu công nghệ FinFET Hyper Scaling mới, cho phép gia tăng số lượng transistor (bóng bán dẫn) gấp 2,7 lần so với thế hệ chip 10nm đầu tiên là 10LPE. Điều này giúp mở rộng khả năng lưu trữ của chip so với trước đây. Dự kiến các chip 3D NAND 64 lớp đầu tiên sẽ sớm có mặt trên thị trường trong thời gian tới. Tuy nhiên do sản lượng hạn chế và giá bán khá cao nên các sản phẩm SSD sử dụng chip 3D NAND mới chủ yếu hướng đến khách hàng doanh nghiệp, dùng trong các trung tâm dữ liệu.
Nguồn tham khảo: Intel.com
